參數(shù)資料
型號： BFS17W
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 149K
代理商： BFS17W
BFS17/BFS17R/BFS17W
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 4, 20-Jan-99
1 (10)
Document Number 85038
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
For broadband amplifiers up to 1 GHz.
Features
High power gain
SMD-package
13 581
2
3
1
94 9280
BFS17 Marking: E1
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
13 581
2
3
1
9510527
BFS17R Marking: E4
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
2
1
3
13 652
13 570
BFS17W Marking: WE1
Plastic case (SOT 323)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
相關PDF資料
PDF描述
BFT51F.A NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
BFT51FA NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
BFT51F NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
BFW13 N-CHANNEL SILICON FET DEPLETION MODE
BFW43 High Voltage Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管(高壓放大器))
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BFS17W T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SC-70 T/R
BFS17W,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 15V 1GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS17W,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFS17W Series 15 V 300 mW 1 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-323
BFS17W,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 15V 50mA 300mW 25 1.6GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS17W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*