參數(shù)資料
型號： BFT19
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 10/19頁
文件大小： 1150K
代理商： BFT19
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PDF描述
BFT19B Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BD750A TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
BD750C TRANSISTOR | BJT | PNP | 130V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
BD751A TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
CA0747T3 Low speed USB 8-bit MCU family with up to 32K Flash/ROM, DFU capability, 8-bit ADC, WDG, timer, SCI and I2C
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFT19A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BFT19B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BFT25 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2GHz W/B Transistor,5V,6.5mA,BFT25
BFT25 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFT25,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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