參數(shù)資料
型號： BGD902
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： CATV amplifier modules
中文描述： 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： SOT-115J, 9 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： BGD902
9397 750 14435
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 8 March 2005
6 of 10
Philips Semiconductors
BGD902
860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 129 chs; tilt = 12.5 dB
(50 MHz to 860 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 129 chs; tilt = 12.5 dB
(50 MHz to 860 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
Fig 5.
Cross modulation as a function of frequency
under tilted conditions
Fig 6.
Composite second order distortion as a
function of frequency under tilted conditions
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 129 chs;
f
m
= 859.25 MHz.
(1) Typ. +3
σ
.
(2) Typ.
(3) Typ.
3
σ
.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 129 chs; f
m
= 860.5 MHz.
(1) Typ. +3
σ
.
(2) Typ.
(3) Typ.
3
σ
.
Fig 7.
Composite triple beat as a function of output
voltage
Fig 8.
Composite second order distortion as a
function of output voltage
0
V
o
(dBmV)
f (MHz)
X
mod
(dB)
200
1000
50
60
80
90
70
52
48
40
36
44
400
600
800
mda943
(1)
(2)
(3)
(4)
0
V
o
(dBmV)
f (MHz)
CSO
(dB)
200
1000
50
60
80
90
70
52
48
40
36
44
400
600
800
mda944
(1)
(2)
(3)
(4)
40
V
o
(dBmV)
45
50
55
mda945
CTB
(dB)
30
20
40
50
60
70
(1)
(2)
(3)
40
V
o
(dBmV)
45
50
55
mda946
CSO
(dB)
30
20
40
50
60
70
(1)
(2)
(3)
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PDF描述
BGD904L CATV amplifier module
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