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    參數(shù)資料
    

    


    


    
型號(hào)：
BLF378

    

    
廠商：
NXP SEMICONDUCTORS

    

    
元件分類(lèi)：
功率晶體管

    

    
英文描述：
VHF push-pull power MOS transistor

    

    
中文描述：
2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

    

    
封裝：
SOT-262A1, 4 PIN

    

    
文件頁(yè)數(shù)：
5/16頁(yè)

    

    
文件大?。?/td>
134K

    

    
代理商：
BLF378


    

    

    

	
    
    
    

    
    
	
    1998 Jul 29
    5
    Philips Semiconductors
    Product specification
    VHF push-pull power MOS transistor
    BLF378
    Fig.6
    Drain-source on-state resistance as a
    function of junction temperature; typical
    values per section.
    I
    D
    = 5 A; V
    GS
    = 10 V.
    handbook, halfpage
    RDSon
    (m
    )
    0
    50
    100
    150
    0
    200
    100
    300
    MGE621
    Tj (
    °
    C)
    Fig.7
    Input and output capacitance as functions
    of drain-source voltage; typical values per
    section.
    V
    GS
    = 0; f = 1 MHz.
    handbook, halfpage
    0
    800
    400
    0
    20
    C
    (pF)
    40
    VDS (V)
    60
    MGE615
    Cos
    Cis
    Fig.8
    Feedback capacitance as a function of
    drain-source voltage; typical values per
    section.
    V
    GS
    = 0; f = 1 MHz.
    handbook, halfpage
    Crs
    (pF)
    0
    10
    50
    300
    100
    0
    200
    MGE620
    20
    30
    40
    VDS (V)
    
    
    
    
    
    


    


    

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    參數(shù)描述
    		

    
    

    
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功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray

    

    
BLF3G21-30,112
功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray

    

    
BLF3G21-30112
 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:

    

    
BLF3G21-6
功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray

    

    
BLF3G21-6,112
功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray

    

    
    
    
    
	
    	
    
    
     
     
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    我的聯(lián)系方式
    
                     
                     
                       
    
                                
                                
                                
    
                                    
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