參數(shù)資料
型號： BLF522
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power MOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-171A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 71K
代理商： BLF522
September 1992
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power MOS transistor
BLF522
Fig.6
Drain-source on-state resistance as a
function of junction temperature, typical
values.
I
D
= 0.7 A; V
GS
= 15 V;
handbook, halfpage
(
)
0
1
2
3
4
0
50
100
Tj (
o
C)
150
MRA253
Fig.7
Input and output capacitance as functions
of drain-source voltage, typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
MRA246
VDS (V)
Cis
Cos
Fig.8
Feedback capacitance as a function of
drain-source voltage, typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(pF)
0
2
4
6
8
0
4
8
12
16
MRA256
VDS (V)
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