參數(shù)資料
型號： BLS2731-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： BLS2731-10
1998 Nov 25
3
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS2731-10
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Equivalent thermal impedance under pulsed microwave operating conditions.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 0
open collector
t
p
≤
100
μ
s;
δ ≤
10%
t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%; T
mb
= 25
°
C
65
75
75
2
1.5
145
+200
200
235
V
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
up to 0.2 mm from ceramic cap; t
≤
10 s
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Z
th j-h
thermal impedance from junction to heatsink
t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%; note 1
1.2
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CES
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
C
c
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage I
C
= 2.5 mA; V
BE
= 0
collector leakage current
collector leakage current
emitter leakage current
DC current gain
collector capacitance (die only)
I
C
= 2.5 mA; open emitter
75
75
40
10
0.3
0.5
0.1
V
V
mA
mA
mA
V
CB
= 40 V; I
E
= 0
V
CE
= 40 V; V
BE
= 0
V
EB
= 1.5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 0.25 A
V
CE
= 1 V; I
E
= i
e
= 0;
f = 1 MHz
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLS2731-110 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS2731-150 TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A
BLS2731-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS2731-50 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-10 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLS2731-10,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-110 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
BLS2731-110 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-110,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-150 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A
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