參數(shù)資料
型號： BLS2731-110
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-423A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 85K
代理商： BLS2731-110
1998 Jan 30
4
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS2731-110
Fig.2
Power gain and efficiency as functions of
frequency; typical values.
V
CE
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
2.7
2.8
2.9
Gp
3.1
f (GHz)
0
8
3
6
4
2
η
C
(%)
40
η
C
50
0
30
20
10
MBK284
V
CE
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
Fig.3
Load power as a function of drive power;
typical values.
handbook, halfpage
(W)
120
10
12
14
20
PD (W)
18
0
40
20
16
2.9 GHz
2.7
3.1
100
80
60
MBK285
Fig.4
Input impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 110 W.
handbook, halfpage
2.6
8
4
0
2.8
3
3.2
MGM538
f (GHz)
Zi
(
)
ri
xi
Fig.5
Load impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 110 W.
handbook, halfpage
ZL
(
)
2.6
2.8
3
3.2
4
4
8
0
MGM539
f (GHz)
XL
RL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLS2731-150 TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A
BLS2731-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS2731-50 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-10 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLS2731-110 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-110,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-150 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A
BLS2731-20 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
BLS2731-20 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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