參數(shù)資料
型號： BLS2731-50
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-422A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 68K
代理商： BLS2731-50
1998 Jan 30
4
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS2731-50
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
(1) f = 3.1 GHz.
(2) f = 2.7 GHz.
(3) f = 2.9 GHz.
Fig.2
Load power as a function of drive power;
typical values.
handbook, halfpage
0
10
0
20
40
2
4
6
8
MGM533
PL
(W)
PD (W)
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Power gain as function of frequency;
typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 50 W; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
handbook, halfpage
2.6
8
4
0
2.8
3
3.2
MGM534
f (GHz)
Gp
(dB)
Fig.4
Input impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 50 W.
handbook, halfpage
Zi
(
)
2.6
2.8
3
3.2
12
4
0
8
MGM535
f (GHz)
ri
xi
Fig.5
Load impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 50 W.
handbook, halfpage
ZL
(
)
2.6
2.8
3
3.2
f (GHz)
XL
RL
8
8
4
0
4
MGM536
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PDF描述
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參數(shù)描述
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