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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLS3135-20 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-422A, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | BLS3135-20 |
2000 Feb 01
6
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS3135-20
handbook, full pagewidth
MCD869
30
30
40
C2
C1
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad printed-circuit board with Duroid dielectric (
ε
r
= 2.2), thickness 0.38 mm.
The other side is unetched and serves as a ground plane.
C1 = C2 = 4.7 pF (ATC 100A).
Fig.8 Component layout for 3.1 to 3.5 GHz class-C test circuit.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BLS3135-65 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
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| BLT13 | UHF power transistor |
| BLT52 | UHF power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLS3135-20 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-20,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-50 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
| BLS3135-50,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-65 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
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