參數(shù)資料
型號(hào)： BLS3135-50
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： BLS3135-50
1999 Aug 16
6
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS3135-50
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT422A
99-03-29
0
5
10 mm
scale
Flanged hermetic ceramic package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT422A
UNIT
Q
c
D
E1
E
F
H
p
q
mm
0.13
0.08
b
5.21
4.95
10.29
10.03
9.93
9.68
8.76
8.51
D1
10.29
10.03
1.58
1.47
19.18
17.65
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
3.43
3.18
16.51
22.99
22.73
U2
U1
9.91
9.65
0.25
w2
w1
0.76
A
5.72
4.83
3.35
2.92
inches
0.005
0.003
0.205
0.195
0.405
0.395
0.391
0.381
0.345
0.335
0.405
0.395
0.062
0.058
0.755
0.695
L
4.52
3.74
0.178
0.147
0.135
0.125
0.65
0.905
0.895
0.390
0.380
0.01
0.03
0.225
0.190
0.132
0.115
D
D1
q
U1
A
U2
E1
E
p
b
1
3
2
Q
F
c
M
M
C
C
A
w2
B
w1
A
B
M
M
M
L
L
H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLS3135-65 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLT11 NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR
BLT13 UHF power transistor
BLT52 UHF power transistor
BLU12 UHF power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLS3135-50,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-65 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
BLS3135-65 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-65,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS38-1 制造商:DBLECTRO 制造商全稱(chēng):DB Lectro Inc 功能描述:BLS38-1
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