參數(shù)資料
型號(hào)： BLT50
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
封裝： BLT50<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
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代理商： BLT50
April 1991
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLT50
APPLICATION INFORMATION
RF performance at T
s
≤
60
°
C in a common emitter class-B test circuit.
MODE OF
OPERATION
f (MHz)
V
CE
(V)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
c
(%)
c.w. narrow band
470
7.5
1.2
>
10
typ. 11.2
>
55
typ. 65
Fig.4
Gain and efficiency as functions of load
power, typical values.
V
CE
= 7.5 V; f = 470 MHz.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
12
4
0
8
MEA219
0.6
1.0
1.4
2.2
1.8
Gp
PL (W)
80
60
40
100
η
η
(%)
Fig.5
Load power as a function of drive power,
typical values.
V
CE
= 7.5 V; f = 470 MHz.
handbook, halfpage
0
100
PD (mW)
PL
(W)
200
0
1
MEA220
Ruggedness in class-B operation
The BLT50 is capable of withstanding a load mismatch
corresponding to VSWR = 50:1 through all phases at rated
output power, up to a supply voltage of 9 V, f = 470 MHz
and T
s
≤
60
°
C, where T
s
is the temperature at the
soldering point of the collector tab.
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