參數(shù)資料
型號(hào)： BLT50
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
封裝： BLT50<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： BLT50
April 1991
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLT50
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
collector-base breakdown voltage
open emitter;
I
C
= 5 mA
open base;
I
C
= 10 mA
open collector;
I
E
= 1 mA
V
BE
= 0;
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5 V;
I
C
= 300 mA
L = 25 mH;
R
BE
= 10
;
f = 50 Hz
V
CB
= 7.5 V;
I
E
= I
e
= 0;
f = 1 MHz
V
CE
= 7.5 V;
I
C
= 0;
f = 1 MHz
20
V
V
(BR)CEO
collector-emitter breakdown voltage
10
V
V
(BR)EBO
emitter-base breakdown voltage
3
V
I
CES
collector-emitter leakage current
250
μ
A
h
FE
DC current gain
25
E
SBR
second breakdown energy
0.55
mJ
C
c
collector capacitance
4.7
6
pF
C
re
feedback capacitance
2.9
4.5
pF
Fig.3
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage, typical values.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Cc
(pF)
0
8
10
0
2
MEA218
2
4
6
VCB (V)
4
6
8
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