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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLT70 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 封裝： | BLT70<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | BLT70 |
1996 Feb 06
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLT70
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector leakage current
DC current gain
collector capacitance
feedback capacitance
open emitter; I
C
= 0.5 mA
open base; I
C
= 5 mA
open collector; I
E
= 0.2 mA
V
CE
= 7 V; V
BE
= 0
V
CE
= 4.8 V; I
C
= 100 mA
V
CB
= 4.8 V; I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz
V
CE
= 4.8 V; I
C
= 0; f = 1 MHz
16
8
2.5
25
0.1
3.5
2.5
V
V
V
mA
pF
pF
Fig.3
DC current gainas a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 4.8 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
hFE
0
100
200
IC (mA)
300
0
80
MGD198
60
40
20
Fig.4
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Cc
(pF)
0
4
8
16
3
1
0
2
MGD199
12
VCB (V)
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