參數(shù)資料
型號： BLT80
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
封裝： BLT80<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： BLT80
1996 May 09
8
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLT80
Fig.9
Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
Class-B; V
CE
= 7.5 V; P
L
= 0.8 W; T
s
≤
60
°
C.
handbook, halfpage
(
)
0
2
4
6
8
800
840
880
920
960
1000
MRA777
f (MHz)
ri
xi
Fig.10 Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
Class-B; V
CE
= 7.5 V; P
L
= 0.8 W; T
s
≤
60
°
C.
handbook, halfpage
(
)
0
5
10
15
20
25
800
840
880
920
960
1000
f (MHz)
MRA778
RL
XL
Fig.11 Power gain as a function of
frequency; typical values.
Class-B; V
CE
= 7.5 V; P
L
= 0.8 W; T
s
≤
60
°
C.
handbook, halfpage
(dB)
0
800
2
4
6
8
840
880
920
960
1000
f (MHz)
MRA775
Fig.12 Definition of transistor impedance.
handbook, halfpage
MBA451
Zi
ZL
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