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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLT80 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 封裝： | BLT80<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | BLT80 |
1996 May 09
7
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLT80
Fig.8 Printed-circuit board and component lay-out for 900 MHz class-B test circuit in Fig.7.
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad PTFE fibre-glass board, the other side is unetched and serves as a ground plane.
Earth connections from the component side to the ground plane are made by means of fixing screws and copper foil straps under the emitter leads.
handbook, full pagewidth
strap
strap
strap
strap
rivets
(14x)
mounting
screws
(8x)
140
80
MBB648
L9
C6
R2
L7
L10
C7
C5
L6
L2
L1
C4
R1
L4
C3
C2
VCC
C8
C1
L5
L3
L8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLT81 | UHF power transistor |
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| BSR12 | PNP switching transistor |
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| BSR56 | N-channel FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLT80 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| BLT80,115 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN 7.5V 250mA UHF RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLT80/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF POWER SOT223 |
| BLT80115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:UHF POWER TRANSISTOR NPN 10V 250MA S |
| BLT80T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-223 |
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