參數(shù)資料
型號： BLT81
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
封裝： BLT81<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： BLT81
1996 May 09
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLT81
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(AV)
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
average collector current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
9.5
2.5
500
500
2
+150
175
V
V
V
mA
mA
W
°
C
°
C
T
s
= 110
°
C; note 1
Fig.2 DC SOAR.
T
s
= 110
°
C.
handbook, halfpage
MRC094
10
1
10
2
1
10
IC
(A)
VCE (V)
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the “Limiting values” and “Thermal characteristics”
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
P
tot
= 2 W; T
s
= 110
°
C; note 1
32
K/W
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