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參數(shù)資料
| 型號： | BLU97 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | BLU97 |
August 1986
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLU97
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Note
1.
Measured under pulse conditions: t
p
= 50
μ
s;
δ <
1%.
Collector-base breakdown voltage, open emitter; I
C
= 15 mA
Collector-emitter breakdown voltage, open base; I
C
= 30 mA
Emitter-base breakdown voltage, open collector; I
E
= 1,5 mA
Collector cut-off current, V
BE
= 0; V
CE
= 16 V
Second breakdown energy, L = 25 mH; f = 50 Hz; R
BE
= 10
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CES
E
SBR
>
>
>
<
>
>
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
36 V
16 V
3 V
7,5 mA
2,3 mJ
25
100
4,0 GHz
10 pF
7 pF
1,2 pF
D.C. current gain, I
C
= 0,9 A; V
CE
= 10 V
h
FE
Transition frequency at f = 500 MHz
(1)
,
I
E
= 0,9 A; V
CB
= 12,5 V
Collector capacitance at f = 1 MHz, I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 12,5 V
Feed-back capacitance at f = 1 MHz, I
C
= 0; V
CE
= 12,5 V
Collector-stud capacitance
f
T
C
c
C
re
C
cs
Fig.4 T
j
= 25
°
C; V
CE
= 10 V; typical values.
handbook, halfpage
0
80
40
0
0.8
IC (A)
hFE
1.6
3.2
2.4
MDA362
Fig.5
V
CB
= 12,5 V; f = 500 MHz; t
p
= 50
μ
s;
T
j
= 25
°
C; typical values.
handbook, halfpage
0
3.2
1.6
0
0.8
IE (A)
fT
(GHz)
1.6
3.2
2.4
MDA363
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