參數(shù)資料
型號： BLV2045N
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： BLV2045N
2000 Feb 21
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF power transistor
BLV2045N
handbook, halfpage
0
10
PL (W)
Gp
(dB)
20
40
0
4
8
30
MCD881
η
C
(%)
50
Gp
η
C
60
10
20
40
0
30
Fig.2
Power gain and collector efficiency as
functions of load power; typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 150 mA; f = 1990 MHz.
handbook, halfpage
0
10
PL (PEP) (W)
Gp
(dB)
20
40
0
4
8
30
MCD882
η
C
(%)
50
Gp
60
10
20
40
0
30
η
C
Fig.3
Power gain and collector efficiency as
functions of peak envelope load power;
typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 150 mA; f
1
= 1990 MHz; f
2
= 1990.1 MHz
handbook, halfpage
0
10
PL (PEP) (W)
dim
(dBc)
20
40
60
40
20
30
MCD883
d3
d5
Fig.4
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 150 mA; f
1
= 1990 MHz; f
2
= 1990.1 MHz.
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