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參數資料
| 型號： | BLV2046 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | BLV2046 |
1997 Aug 22
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV2046
Fig.4
Power gain expansion as a function of drive
power; typical values.
V
CE
= 26 V; f = 1990 MHz.
(1) I
CQ
= 600 mA.
(2) I
CQ
= 400 mA.
(3) I
CQ
= 200 mA.
(4) I
CQ
= 100 mA.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
3
PD (W)
2
4
6
8
MDA213
10
2
10
1
1
10
(2)
(3)
(4)
(1)
Fig.5
Power gain expansion as a function of load
power; typical values.
V
CE
= 26 V; f
1
= 1990 MHz; f
2
= 1990.1 MHz.
(1) I
CQ
= 600 mA.
(2) I
CQ
= 400 mA.
(3) I
CQ
= 200 mA.
(4) I
CQ
= 100 mA.
handbook, halfpage
(dB)
0
PL (PEP) (W)
0
MDA214
1
10
10
2
2
4
6
8
(2)
(3)
(4)
(1)
Fig.6
Intermodulation distortion as a function of
load power; typical values.
V
CE
= 26 V; f
1
= 1990 MHz; f
2
= 1990.1 MHz.
(1) I
CQ
= 100 mA.
(2) I
CQ
= 200 mA.
(3) I
CQ
= 400 mA.
(4) I
CQ
= 600 mA.
handbook, halfpage
(dBc)
0
20
60
50
40
40
30
20
10
MDA215
PL (PEP) (W)
(2)
(1)
(3)
(4)
Fig.7
Intermodulation distortion as a function of
load power; typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 200 mA; f
1
= 1990 MHz; f
2
= 1990.1 MHz.
handbook, halfpage
0
d3
d5
20
40
60
20
40
60
MDA216
dim
(dBc)
PL (PEP) (W)
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PDF描述 |
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