參數(shù)資料
型號(hào)： BLV99SL
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： UHF power transistor
中文描述： 超高頻大功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： BLV99SL
September 1991
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV99/SL
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current
collector current
open emitter
open base
open collector
DC value
peak value
f
>
1 MHz
f
>
1 MHz;
T
mb
= 50
°
C
50
27
3.5
200
600
V
V
V
mA
mA
P
tot
total power dissipation
6
W
T
stg
T
j
storage temperature range
junction operating temperature
65
150
200
°
C
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
P
L
= 4.5 W; T
mb
= 25
°
C
MAX.
UNIT
R
th j-mb(RF)
from junction to mounting base
20
K/W
Fig.2 Power/temperature derating curves.
(I) Continuous RF operation.
(II) Short time operation during mismatch.
handbook, halfpage
0
40
80
160
Th (
°
C)
Ptot
(W)
0
4
8
120
MBK466
Ι
ΙΙ
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PDF描述
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