參數(shù)資料
型號(hào)： BLW75
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
中文描述： Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： BLW75
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CER
I
C
= 50 mA
BV
CBO
I
C
= 50 mA
BV
CEO
I
C
= 50 mA
BV
EBO
I
E
= 10 mA
h
FE
V
CE
= 25 V I
C
= 2.0 A
TEST CONDITIONS
R
BE
= 10
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
60
UNITS
V
60
V
30
V
4.0
V
20
45
---
C
ob
C
re
f
T
V
CB
= 30 V
V
CE
= 30 V
V
CE
= 25 V
f = 1.0 MHz
90
120
pF
I
C
= 200 mA f = 1.0 MHz
I
C
= 6.0 A f = 100 MHz
55
pF
800
MHz
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW75
DESCRIPTION:
The
ASI BLW75
is Designed for
25V Large-Signal Amplifier
Applications, TV Transposers, and
Transmitters Operating in Band lll.
MAXIMUM RATINGS
I
C
4.0 A
V
CE
32 V
V
CB
60 V
P
DISS
60 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
-65
O
C to +125
O
C
1.9
O
C/W
T
J
T
STG
θ
JC
PACKAGE STYLE .380" 4L STUD (MOD STUD)
1
= COLLECTOR 2 & 4 = EMITTER
3 = BASE
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PDF描述
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BLX39 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
BLX65S NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BLW77 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW78 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW80 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW81 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
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