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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSN205 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 300 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | BSN205 |
April 1995
6
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSN205; BSN205A
DEFINITIONS
LIFE SUPPORT APPLICATIONS
These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
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improper use or sale.
Data sheet status
Objective specification
Preliminary specification
Product specification
This data sheet contains target or goal specifications for product development.
This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
This data sheet contains final product specifications.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSN205A | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSN20W | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSN274 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSN274A | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSN304 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSN205A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSN20BKR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:265mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| BSN20Q-7 | 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| BSN20T/R | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
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