參數(shù)資料
型號： BSN205A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 300 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： BSN205A
April 1995
2
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSN205; BSN205A
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor in a TO-92
variant envelope. Designed primarily
as a line current interrupter in
telephone sets, it can also be applied
in other applications such as in relays,
line and high speed transformer
drivers etc.
FEATURES
Direct interface to C-MOS, TTL,
etc.
High-speed switching
No secondary breakdown
Low R
DS(on)
QUICK REFERENCE DATA
PINNING - TO-92 VARIANT
Drain-source voltage
Gate-source voltage (open drain)
Drain current (DC)
Total power dissipation up to
T
amb
= 25
°
C
Drain-source ON-resistance
I
D
= 400 mA; V
GS
= 10 V
V
DS
±
V
GSO
I
D
max.
max.
max.
200 V
20 V
300 mA
P
tot
max.
1 W
typ.
max.
4.5
6
R
DS(on)
Transfer admittance
I
D
= 400 mA; V
DS
= 25 V
min.
typ.
200
350
mS
mS
Y
fs
BSN205
BSN205A
1
2
3
= gate
= drain
= source
1
2
3
= source
= gate
= drain
PIN CONFIGURATION
Fig.1 Simplified outline and symbol.
Note:
various pinout configurations available.
handbook, halfpage
MAM148
1
3
2
s
d
g
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BSN20BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:265mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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BSN20T/R 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
BSN20-T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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