Ordering Information" />
型號(hào): | BSO080P03NS3E G |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁(yè)數(shù): | 2/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 12A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 8 毫歐 @ 14.8A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1.9V @ 150µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 6750pF @ 15V |
功率 - 最大: | 1.6W |
安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-DSO-8 |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
其它名稱(chēng): | BSO080P03NS3E GDKR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
HMU-PJAT1K-A10R1 | CONN MU ATTENUATOR FIXED 10DB |
HMU-PJAT1K-A09R1 | CONN MU ATTENUATOR FIXED 9DB |
HMU-PJAT1K-A08R1 | CONN MU ATTENUATOR FIXED 8DB |
HMU-PJAT1K-A07R1 | CONN MU ATTENUATOR FIXED 7DB |
HMU-PJAT1K-A06R1 | CONN MU ATTENUATOR FIXED 6DB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BSO080P03NS3EGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 制造商:Infineon 功能描述:-30V,-14.8A,P-channel power MOSFET |
BSO080P03NS3EGXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |
BSO080P03NS3G | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BSO080P03NS3GXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |
BSO080P03NS3GXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 14.8A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |