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型號(hào): | BSO080P03S H |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁(yè)數(shù): | 2/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 12.6A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 8 毫歐 @ 14.9A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 2.2V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 136nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5890pF@ 25V |
功率 - 最大: | 1.79W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | P-DSO-8 |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
其它名稱: | BSO080P03S HDKR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NTD3055-150T4G | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
ZVN4106FTA | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 |
SS-01GP | SWITCH BASIC SPDT .1A SLDR |
SS-3GPT | SWITCH BASIC SPDT 3A .110QC |
ASFLMB-8.000MHZ-LC-T | OSC MEMS 8.000 MHZ SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSO080P03SHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 |
BSO080P03SHXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO Dry 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 |
BSO080P03SNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 |
BSO080P03ST | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-CH MOSFET,30V,SO8,8MOHM,14.9 |
BSO083N03MS G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |