型號(hào): | BSO303SP |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁數(shù): | 5/5頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 8.9A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 21 毫歐 @ 8.9A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 100µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1754pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2.35W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SO |
包裝: | 剪切帶 (CT) |
其它名稱: | BSO303SPXTINCT |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMZ0603F330C | FERRITE CHIP BEAD 33 OHM 0201 |
1623909-2 | TRIMMER 10K OHM 0.1W SMD |
170155J160ME | CAP FILM 1.5UF 160VDC AXIAL |
CSX-750PBCTR | OSC 3.3V PROG CMOS OE 100PPM |
1624116-3 | FERRITE CHIP 600 OHM 200MA 0603 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSO303SP H | 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSO303SPH | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-P Power-Transistor |
BSO303SPHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO |
BSO303SPHXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO |
BSO303SPNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC |