參數(shù)資料
型號： BSO315C
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： ？SIPMOS?；パa(bǔ)。 30V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)（N / P系列）\u003d 0.11/0.25Ohm。編號（北）\u003d 3.4A。編號（規(guī)劃）\u003d - 2.3a作出。當(dāng)?shù)毓蛦T？
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代理商： BSO315C
1999-09-22
Page 3
Preliminary data
BSO 315 C
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Characteristics
Transconductance
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS(on)max
,
I
D
= 2.9 A
VV
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS(on)max
,
I
D
= -1.8 A
Input capacitance
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1 MHz
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1 MHz
Output capacitance
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1 MHz
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1 MHz
Reverse transfer capacitance
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1 MHz
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1 MHz
Turn-on delay time
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 2.9 A,
R
G
= 33
V
DD
= -15 V,
V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -1.8 A,
R
G
= 24
Rise time
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 2.9 A,
R
G
= 33
V
DD
= -15 V,
V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -1.8 A,
R
G
= 24
Turn-off delay time
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 2.9 A,
R
G
= 33
V
DD
= -15 V,
V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -1.8 A,
R
G
= 24
Fall time
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 2.9 A,
R
G
= 33
V
DD
= -15 V,
V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -1.8 A,
R
G
= 24
N
P
g
fs
2.2
1.6
4.5
3.2
-
-
S
N
P
C
iss
-
-
200
200
250
250
pF
N
P
C
oss
-
-
93
113
116
140
N
P
C
rss
-
-
50
38
63
48
N
P
t
d(on)
-
-
15
22
22
33
ns
N
P
t
r
-
-
96
71
144
107
N
P
t
d(off)
-
-
13
56
20
84
N
P
t
f
-
-
20
61
30
90
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BSP108 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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參數(shù)描述
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BSO350N03FUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 5A DSO-8
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