參數(shù)資料
型號： BSO9936
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： ？小信號MOSFET。 30V的。 SO - 8封裝。導通狀態(tài)\u003d 75mOhm。 4.2A。當?shù)毓蛦T。雙？
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： BSO9936
Semiconductor Group
01 / 1999
1
BSO 307 N
Preliminary data
SIPMOS
Small-Signal-Transistor
Features
Dual N channel
Enhancement mode
Avalanche rated
Logic Level
dvdt rated
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
30
0.05
5
V
A
Type
BSO 307 N
Package
SO 8
Ordering Code
Q67000-S4012
Continuous drain current, one channel active
T
A
= 25 °C
Pulsed drain current,
one channel active
T
A
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 5 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Avalanche current,periodic limited by
T
jmax
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dvdt
I
S
= 5 A,
V
DS
= 24 V,
didt
= 200 A/μs,
T
jmax
= 150 °C
Gate source voltage
I
D
5
A
20
I
Dpulse
mJ
E
AS
55
I
AR
E
AR
dvdt
5
A
mJ
kV/μs
0.2
6
V
W
V
GS
P
tot
±
20
2
Power dissipation,
one channel active
T
A
= 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
°C
T
j
T
stg
-55...+150
-55 ... +150
55/150/56
Maximum Ratings,
at
T
j = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
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PDF描述
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參數(shù)描述
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