參數(shù)資料
型號： BSP152
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： BSP152
April 1995
2
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP152
FEATURES
Direct interface to C-MOS, TTL,
etc.
High-speed switching
No secondary breakdown.
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor in a
SOT223 envelope, intended for use
as a line current interruptor in
telephone sets and for applications in
relay, high-speed and line
transformer drivers.
PINNING - SOT223
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
gate
drain
source
drain
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
drain-source
voltage
DC drain current
total power
dissipation
gate-source
voltage
drain-source
on-resistance
gate-source
cut-off voltage
200
V
I
D
P
tot
550
1.5
mA
W
up to T
amb
= 25
°
C
±
V
GSO
open drain
40
V
R
DS(on)
I
D
= 750 mA;
V
GS
= 10 V
I
D
= 1 mA;
V
DS
= V
GS
2.5
V
GS(off)
1.5
3.5
V
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
MAM054
4
1
2
3
Top view
s
d
g
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PDF描述
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參數(shù)描述
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