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參數(shù)資料
| 型號： | BSR57 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封裝： | BSR57<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BSR57/C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free, |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | BSR57 |
April 1991
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel FETs
BSR56; BSR57; BSR58
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Notes
1.
Mounted on a ceramic substrate of 8 mm
×
10 mm
×
0.7 mm.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Forward gate current
Total power dissipation up to T
amb
= 40
°
C (note 1)
Storage temperature range
Junction temperature
±
V
DS
V
DGO
V
GSO
I
GF
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
65 to
+
150
°
C
max.
40 V
40 V
40 V
50 mA
250 mW
150
°
C
From junction to ambient (note 1)
R
th j-a
=
430 K/W
Gate-source cut-off current
V
DS
= 0 V;
V
GS
= 20 V
Drain cut-off current
V
DS
= 15 V;
V
GS
= 10 V
I
GSS
max.
1.0 nA
I
DSX
max.
1.0 nA
BSR56
BSR57
BSR58
Drain current
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0
I
DSS
>
<
50
20
100
8 mA
80 mA
Gate-source breakdown voltage
I
G
= 1
μ
A; V
DS
= 0
Gate-source cut-off voltage
V
(BR)GSS
>
40
40
40 V
I
D
= 0,5 nA; V
DS
= 15 V
V
(P)GS
>
<
4
2
6
0.8 V
4 V
10
Drain-source voltage (on)
I
D
= 20 mA; V
GS
= 0
I
D
= 10 mA; V
GS
= 0
I
D
= 5 mA; V
GS
= 0
Drain-source resistance (on) at f = 1 kHz
I
D
= 0; V
GS
= 0; T
a
= 25
°
C
Feedback capacitance at f = 1 MHz
V
GS
= 10 V; V
DS
= 0
V
DSon
V
DSon
V
DSon
<
<
<
750
mV
mV
400 mV
500
r
ds on
<
25
40
60
C
rss
<
5
5
5 pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSR58 | N-channel FET |
| BSS83 | MOSFET N-channel switching transistor |
| BSS83 | MOSFET N-channel switching transistor |
| BT134-600D | 4Q Triac |
| BT134-600E | 4Q Triac |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSR57 T/R | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BSR57,215 | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BSR57_Q | 功能描述:JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| BSR57215 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BSR57L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 100MA I(DSS) | SOT-23 |
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