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參數(shù)資料
| 型號： | BSS63LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（民進黨硅） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BSS63LT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS64L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BSS64R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BSS64 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSS64 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BSS64LT1 | Driver Transistors(NPN Silicon) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS63LT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Voltage Transistor PNP |
| BSS63LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Transistor |
| BSS63LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 110V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS63LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -100V SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, SOT-23 |
| BSS63R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
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