參數(shù)資料
型號: BSS82CL
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五(巴西)總裁| 800mA的一(c)| SOT - 23封裝
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代理商: BSS82CL
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BSS82CTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS83 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-143
BSS83,215 功能描述:MOSFET N-CH MOSFET 10V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS83,235 功能描述:MOSFET Single N-Channel 10V 50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube