參數(shù)資料
型號： BST80
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： BST80
1997 Jun 20
2
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BST80
FEATURES
Low drain-source on-state resistance
Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
High-speed switching
No secondary breakdown.
APPLICATIONS
Thin and thick film circuits
Relay, high-speed and line transformer drivers.
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
in a SOT89 package.
PINNING - SOT89
PIN
SYMBOL
DESCRIPTION
1
2
3
s
d
g
source
drain
gate
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
1
2
3
s
d
g
MAM355
Bottom view
Marking code
: KM
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
V
DS
V
GSO
I
D
P
tot
R
DSon
y
fs
drain-source voltage (DC)
gate-source voltage (DC)
drain current (DC)
total power dissipation
drain-source on-state resistance
forward transfer admittance
2
300
80
±
20
500
1
3
V
V
mA
W
mS
open drain
T
amb
≤
25
°
C
I
D
= 500 mA; V
GS
= 10 V
I
D
= 500 mA; V
DS
= 15 V
相關PDF資料
PDF描述
BST84 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BST86 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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參數(shù)描述
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