參數(shù)資料
型號(hào)： BST86
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 300 mA, 180 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 62K
代理商： BST86
April 1995
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BST86
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Drain-source breakdown voltage
I
D
= 100
μ
A; V
GS
= 0
Drain-source leakage current
V
DS
= 120 V; V
GS
= 0
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
Gate threshold voltage
I
D
= 100
μ
A; V
DS
= V
GS
V
(BR)DSS
min.
180 V
I
DSS
max.
10
μ
A
I
GSS
max.
100 nA
min.
max.
0.7
2.7
V
V
V
GS(th)
Drain-source ON-resistance
I
D
= 15 mA; V
GS
= 3 V
typ.
max.
7
10
R
DS(on)
I
D
= 300 mA; V
GS
= 10 V
Transfer admittance
I
D
= 300 mA; V
DS
= 15 V
Input capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
R
DS(on)
typ.
6
Y
fs
typ.
250 mS
C
iss
typ.
max.
50
65
pF
pF
Output capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
C
oss
typ.
max.
20
30
pF
pF
Feedback capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
C
rss
typ.
max.
6
10
pF
pF
Switching times (see as 2 and 3)
I
D
= 300 mA; V
DD
= 50 V; V
GS
= 0 to 10 V
t
on
t
off
max.
max.
10
15
ns
ns
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PDF描述
BSV17-16 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-205AD
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參數(shù)描述
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