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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSV52L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 12V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BSV52L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSV52 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSV62SMD05 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | SMT |
| BSWP30 | BSWP30 - Tranzystor krzemowy polowy MOS |
| BSX36CSM | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | LLCC |
| BSX36DCSM | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | LLCC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSV52LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 12V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSV52LT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Switching Transistor |
| BSV52LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switching Transistor NPN Silicon |
| BSV52LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switching Transistor |
| BSV52LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 12V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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