參數資料
型號： BT136S-800E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 4Q Triac
中文描述： 4Q雙向可控硅
封裝： BT136S-800E<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數： 6/14頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： BT136S-800E
BT136S-800E
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Product data sheet
Rev. 3 — 30 March 2011
6 of 14
NXP Semiconductors
BT136S-800E
4Q Triac
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Static characteristics
I
GT
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2- G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2- G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2- G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2- G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; see
Figure 9
I
T
= 5 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 °C;
see
Figure 11
V
D
= 800 V; T
j
= 125 °C
-
2.5
10
mA
-
4
10
mA
-
5
10
mA
-
11
25
mA
I
L
latching current
-
3
15
mA
-
10
20
mA
-
2.5
15
mA
-
4
20
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
-
2.2
1.4
0.7
15
1.7
1.5
mA
V
V
0.25
0.4
-
V
I
D
Dynamic characteristics
dV
D
/dt
off-state current
-
0.1
0.5
mA
rate of rise of off-state
voltage
gate-controlled turn-on
time
V
DM
= 536 V; T
j
= 125 °C; exponential
waveform; gate open circuit
I
TM
= 6 A; V
D
= 800 V; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/dt = 5 A/μs
-
50
-
V/μs
t
gt
-
2
-
μs
相關PDF資料
PDF描述
BT136S-800F 4Q Triac
BT136S-800 4Q Triac
BT136X-600D 4Q Triac
BT136X-600E 4Q Triac
BT136X-800E 4Q Triac
相關代理商/技術參數
參數描述
BT136S-800E /T3 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT136S-800E,118 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT136S800ET/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|800V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-252AA
BT136S-800F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs
BT136S-800F /T3 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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