參數(shù)資料
型號(hào)： BT138-800
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 4Q Triac
中文描述： 4Q雙向可控硅
封裝： BT138-800<SOT78 (SOT78)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;BT138-800/DG<SOT78 (SOT78)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 122K
代理商： BT138-800
NXP
Semiconductors
Product specification
Triacs
BT138 series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
Thermal resistance
junction to ambient
full cycle
half cycle
in free air
-
-
-
-
-
1.5
2.0
-
K/W
K/W
K/W
R
th j-a
60
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
BT138-
...
...F
...G
I
GT
Gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
5
8
35
35
35
70
25
25
25
70
50
50
50
100
mA
mA
mA
mA
10
22
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
-
7
40
60
40
60
30
40
60
40
60
30
60
90
60
90
60
mA
mA
mA
mA
mA
20
8
10
6
I
H
V
T
V
GT
Holding current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 15 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
;
T
j
= 125 C
On-state voltage
Gate trigger voltage
-
-
1.4
0.7
0.4
1.65
1.5
-
V
V
V
0.25
I
D
Off-state leakage current
-
0.1
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
BT138-
...
...F
50
...G
200
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
V
DM
= 67% V
DRM(max)
;
T
waveform; gate open
circuit
V
DM
= 400 V; T
j
= 95 C;
I
T(RMS)
= 12 A;
dI
/dt = 5.4 A/ms; gate
open circuit
I
TM
= 16 A; V
D
= V
;
I
G
= 0.1 A; dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
100
250
-
V/
μ
s
dV
com
/dt
Critical rate of change of
commutating voltage
-
-
10
20
-
V/
μ
s
t
gt
Gate controlled turn-on
time
-
-
-
2
-
μ
s
June 2001
2
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT138-800G 4Q Triac
BT138B-600E 4Q Triac
BT138B-800E 4Q Triac
BT138B-600 4Q Triac
BT138B-600F 4Q Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT138-800,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT138-800 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 12A 800V TO-220
BT138-800/DG 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor TRIAC 800V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
BT138-800/DG,127 功能描述:雙向可控硅 4Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT138-800E 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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