參數(shù)資料
型號(hào)： BT168DW
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications(應(yīng)用于RCD/ GFI/ LCCB的可控硅邏輯電平)
中文描述： 1 A, 400 V, SCR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 52K
代理商： BT168DW
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
logic level for RCD/ GFI/ LCCB Applications
BT168W series
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm.
Fig.13. soldering pattern for surface mounting SOT223.
PRINTED CIRCUIT BOARD
Dimensions in mm.
Fig.14. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
3.8
min
6.3
2.3
4.6
1.5
min
1.5
min
1.5
min
(3x)
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
September 1997
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT168B Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications(應(yīng)用于RCD/ GFI/ LCCB的可控硅邏輯電平)
BT168_SERIES Thyristors logic level for RCD/GFI/LCCB applications
BT168SERIES Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications
BT168D Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications(應(yīng)用于RCD/ GFI/ LCCB的可控硅邏輯電平)
BT168 Film Capacitor; Voltage Rating:600VDC; Capacitor Dielectric Material:Polyester; Capacitance:0.1uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:24.613mm; Series:PS; Size:30.48 x 16.51; Termination:Radial Leaded
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT168E 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT168E,112 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT168EW 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications
BT168G 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT168G,112 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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