參數(shù)資料
型號(hào)： BTA204S-800C,118
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Three quadrant triacs high commutation - I<sub>GT</sub>: 35 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 4 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V; Package: SOT428 (DPAK); Container: Tape reel smd
中文描述： 800 V, 4 A, SNUBBERLESS TRIAC, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： BTA204S-800C,118
9397 750 14862
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 24 May 2005
6 of 13
Philips Semiconductors
BTA204S series B and C
Three-quadrant triacs high communication
6.
Static characteristics
[1]
Device does not trigger in the T2
G+ quadrant.
Table 5:
Static characteristics
Tj =25 °C unless otherwise specied.
Symbol Parameter
Conditions
BTA204S-600B
BTA204S-800B
BTA204S-600C
BTA204S-800C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
IGT
gate trigger
current
VD = 12 V; IT = 0.1 A see Figure 8
T2+ G+
-
50
-
35
mA
T2+ G
--50
--35
mA
T2
G
--50
--35
mA
IL
latching current
VD = 12 V; IGT = 0.1 A; see Figure 10
T2+ G+
-
30
-
20
mA
T2+ G
--45
--30
mA
T2
G
--30
--20
mA
IH
holding current
VD = 12 V; IGT = 0.1 A; see Figure 11
--30
--20
mA
VT
on-state voltage
IT = 5 A; see Figure 9
-
1.4
1.7
-
1.4
1.7
V
VGT
gate trigger
voltage
VD = 12 V; IT = 0.1 A; see Figure 7
-
0.7
1.5
-
0.7
1.5
V
VD = 400 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 °C
0.25
0.4
-
0.25
0.4
-
V
ID
off-state leakage
current
VD =VDRM(max); Tj = 125 °C
-
0.1
0.5
-
0.1
0.5
mA
(1) T2
G
(2) T2+ G
(3) T2+ G+
Fig 7.
Normalized gate trigger voltage as a function of
junction temperature
Fig 8.
Normalized gate trigger current as a function of
junction temperature
Tj (°C)
50
150
100
50
0
001aac334
0.8
1.2
1.6
VGT (Tj)
0.4
VGT (25°C)
Tj (°C)
50
150
100
050
001aac677
1
2
3
0
(1)
(2)
(3)
IGT (Tj)
IGT (25°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA204W-600B,135 Three quadrant triacs high commutation - I<sub>GT</sub>: 50 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
BTA204W-600C,135 Three quadrant triacs high commutation - I<sub>GT</sub>: 35 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
BTA204W-600D,135 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 5 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
BTA204W-600E,135 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
BTA204W-600F,135 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 25 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
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