參數(shù)資料
型號(hào)： BTA204W-600B,135
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Three quadrant triacs high commutation - I<sub>GT</sub>: 50 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
中文描述： 600 V, 1 A, SNUBBERLESS TRIAC
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 43K
代理商： BTA204W-600B,135
Philips Semiconductors
Product specification
Three quadrant triacs
BTA204W series B and C
high commutation
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-sp
Thermal resistance
full or half cycle
-
15
K/W
junction to solder point
R
th j-a
Thermal resistance
pcb mounted; minimum footprint
-
156
-
K/W
junction to ambient
pcb mounted; pad area as in fig:2
-
70
-
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
BTA204W-
...B
...C
I
GT
Gate trigger current
2
V
D = 12 V; IT = 0.1 A
T2+ G+
-
50
35
mA
T2+ G-
-
50
35
mA
T2- G-
-
50
35
mA
I
L
Latching current
V
D = 12 V; IGT = 0.1 A
T2+ G+
-
30
20
mA
T2+ G-
-
45
30
mA
T2- G-
-
30
20
mA
I
H
Holding current
V
D = 12 V; IGT = 0.1 A
-
30
20
mA
V
T
On-state voltage
I
T = 2 A
-
1.2
1.5
V
GT
Gate trigger voltage
V
D = 12 V; IT = 0.1 A
-
0.7
1.5
V
D = 400 V; IT = 0.1 A;
0.25
0.4
-
V
T
j = 125 C
I
D
Off-state leakage current
V
D = VDRM(max); Tj = 125 C
-
0.1
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
UNIT
BTA204W-
...B
...C
dV
D/dt
Critical rate of rise of
V
DM = 67% VDRM(max); Tj = 125 C;
1000
-
V/
s
off-state voltage
exponential waveform; gate open circuit
dI
com/dt
Critical rate of change of
V
DM = 400 V; Tj = 125 C; IT(RMS) = 1 A;
6
3
-
A/ms
commutating current
dV
com/dt = 20V/s; gate open circuit
t
gt
Gate controlled turn-on
I
TM = 12 A; VD = VDRM(max); IG = 0.1 A;
-
2
s
time
dI
G/dt = 5 A/s
2 Device does not trigger in the T2-, G+ quadrant.
December 1998
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA204W-600C,135 Three quadrant triacs high commutation - I<sub>GT</sub>: 35 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
BTA204W-600D,135 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 5 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
BTA204W-600E,135 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
BTA204W-600F,135 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 25 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 600 V; Package: week 35, 2003
BTA204W-800E,135 Three quadrant triacs guaranteed commutation - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V; Package: week 35, 2003
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參數(shù)描述
BTA204W-600C 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Three quadrant triacs high commutation
BTA204W-600C /T3 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA204W-600C,135 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA204W-600D 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Three quadrant triacs guaranteed commutation
BTA204W-600D /T3 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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