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參數(shù)資料
| 型號： | BTA208S-600D |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3Q Hi-Com Triac |
| 封裝： | BTA208S-600D<SOT428 (SOT428)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | BTA208S-600D |
BTA208S-600D
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 13 April 2011
3 of 13
NXP Semiconductors
BTA208S-600D
3Q Hi-Com Triac
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V
DRM
I
T(RMS)
repetitive peak off-state voltage
-
600
V
RMS on-state current
full sine wave; T
mb
≤
102 °C;
see
Figure 1
; see
Figure 2
; see
Figure 3
-
8
A
I
TSM
non-repetitive peak on-state
current
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C;
t
p
= 20 ms; see
Figure 4
; see
Figure 5
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C;
t
p
= 16.7 ms
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse
I
T
= 12 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs
-
65
A
-
72
A
I
2
t
I
2
t for fusing
-
21
A
2
s
dI
T
/dt
I
GM
V
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
rate of rise of on-state current
-
100
A/μs
peak gate current
-
2
A
peak gate voltage
-
5
V
peak gate power
-
5
W
average gate power
over any 20 ms period
-
0.5
W
storage temperature
-40
150
°C
junction temperature
-
125
°C
Fig 1.
RMS on-state current as a function of heatsink
temperature; maximum values
Fig 2.
RMS on-state current as a function of surge
duration; maximum value
T
mb
(
°
C)
50
150
100
0
50
003aaf581
4
6
2
8
10
I
T(RMS)
(A)
0
102
°
C
0
5
10
15
20
25
surge duration (s)
10
2
10
1
10
1
003aaf617
I
T(RMS)
(A)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTA208S-600E | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA208S-600F | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA208S-800B | 3Q Hi-com Triac |
| BTA208S-800E | 3Q Hi-Com Triac |
| BTA208S-800F | 3Q Hi-Com Triac |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTA208S-600D,118 | 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA208S-600D/T3 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor TRIAC 600V 72A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| BTA208S-600E | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:600 V, 8 A, TRIAC, TO-252 |
| BTA208S-600E /T3 | 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA208S-600E,118 | 功能描述:雙向可控硅 TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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