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參數(shù)資料
| 型號： | BTB08S |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | SENSITIVE GATE TRIACS |
| 中文描述： | 靈敏柵極雙向可控硅 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | BTB08S |
GATE CHARACTERISTICS
(maximum values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-a)
Junction to ambient
60
°
C/W
Rth (j-c) DC Junction to case for DC
BTA
4.4
°
C/W
BTB
3.2
Rth (j-c) AC
Junction to case for 360
°
conduction angle
( F= 50 Hz)
BTA
3.3
°
C/W
BTB
2.4
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Suffix
Unit
S
A
IGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
10
10
mA
IV
MAX
10
25
VGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III-IV
MAX
1.5
V
VGD
VD=VDRM RL=3.3k
Tj=110
°
C
I-II-III-IV
MIN
0.2
V
tgt
VD=VDRM
dIG/dt = 0.5A/
μ
s
IG= 40mA
Tj=25
°
C
I-II-III-IV
TYP
2
μ
s
IL
IG= 1.2 IGT
Tj=25
°
C
I-III-IV
TYP
20
20
mA
II
40
40
IH *
IT= 100mA gate open
Tj=25
°
C
MAX
25
25
mA
VTM *
ITM= 11A
tp= 380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
1.75
V
IDRM
IRRM
VDRM
VRRM
Rated
Rated
Tj=25
°
C
MAX
0.01
mA
Tj=110
°
C
MAX
0.75
dV/dt *
Linear slope up to VD=67%VDRM
gate open
Tj=110
°
C
MIN
10
10
V/
μ
s
(dV/dt)c *
(dI/dt)c= 3.5A/ms
Tj=110
°
C
TYP
5
5
V/
μ
s
* For either polarity of electrode A
2
voltage with reference to electrode A
1
.
PG (AV)= 1W
PGM= 10W (tp = 20
μ
s)
IGM= 4A (tp = 20
μ
s)
VGM= 16V (tp = 20
μ
s).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL RESISTANCES
BTA08 S/A / BTB08 S/A
2/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTA08-600B | 8A TRIACS |
| BTA08-600BW | 8A TRIACS |
| BTA08-600C | 8A TRIACS |
| BTA08-600CW | 8A TRIACS |
| BTA08-600SW | 8A TRIACS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTB08-XXXB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A TRIACS |
| BTB08-XXXBW | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A TRIACS |
| BTB08-XXXC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A TRIACS |
| BTB08-XXXCW | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A TRIACS |
| BTB08-XXXSW | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A TRIACS |
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