參數(shù)資料
型號(hào): BTB16B
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Standard Triacs(標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅)
中文描述: 標(biāo)準(zhǔn)雙向(標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅)
文件頁數(shù): 2/5頁
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代理商: BTB16B
GATECHARACTERISTICS
(maximum values)
PG (AV)= 1W
PGM= 10W (tp = 20
μ
s)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-a)
Junction to ambient
60
°
C/W
Rth (j-c) DC Junction to case for DC
BTA
2.9
°
C/W
BTB
2.3
Rth (j-c) AC Junction to case for 360
°
conduction angle
( F= 50 Hz)
BTA
2.2
°
C/W
BTB
1.75
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Suffix
Unit
B
IGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
50
mA
IV
MAX
100
VGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III-IV
MAX
1.5
V
VGD
VD=VDRM RL=3.3k
Tj=125
°
C
I-II-III-IV
MIN
0.2
V
tgt
VD=VDRM
dIG/dt = 3A/
μ
s
IG= 500mA
Tj=25
°
C
I-II-III-IV
TYP
2
μ
s
IL
IG=1.2 IGT
Tj=25
°
C
I-III-IV
TYP
40
mA
II
70
IH*
IT= 500mA gate open
Tj=25
°
C
MAX
50
mA
VTM*
ITM= 22.5A
tp= 380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
1.6
V
IDRM
IRRM
VDRM
VRRM
Rated
Rated
Tj=25
°
C
MAX
0.01
mA
Tj=125
°
C
MAX
2
dV/dt *
Linear slope up to VD=67%VDRM
gate open
Tj=125
°
C
MIN
250
V/
μ
s
(dV/dt)c *
(dI/dt)c = 7A/ms
Tj=125
°
C
MIN
10
V/
μ
s
* For either polarity of electrode A2 voltage with reference to electrode A1.
IGM= 4A (tp = 20
μ
s)
VGM= 16V (tp = 20
μ
s).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL RESISTANCES
BTA16 B / BTB16 B
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA24BW Snubberless Triacs(雙向可控硅)
BTA24CW Snubberless Triacs(雙向可控硅)
BTA25-800B 25A TRIACS
BTA24-600 25A TRIACS
BTA25-xxxBW 25A TRIACS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTB16H-600BW3G 功能描述:MOSFET 16A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BTB16-XXXXXRG 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16A TRIACS
BTB19-200B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|20A I(T)RMS|TO-220
BTB19-400B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|400V V(DRM)|20A I(T)RMS|TO-220
BTB19-600B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|600V V(DRM)|20A I(T)RMS|TO-220