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參數資料
| 型號： | BTW68N |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | HIGH SURGE CAPABILITY |
| 中文描述： | 高浪涌能力 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | BTW68N |
GATE CHARACTERISTICS
(maximum values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-a)
Junction to ambient
50
°
C/W
Rth (j-c) DC Junction to case for DC
BTW 68
1.1
°
C/W
BTW 68 N
0.8
Symbol
Test Conditions
Value
Unit
BTW 68
BTW 68 N
IGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
MAX
50
mA
VGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
MAX
1.5
V
VGD
VD=VDRMRL=3.3k
Tj= 125
°
C
MIN
0.2
V
tgt
VD=VDRM
dIG/dt = 1.5A/
μ
s
IG= 200mA
Tj=25
°
C
TYP
2
μ
s
IL
IG= 1.2 IGT
Tj=25
°
C
TYP
40
mA
IH
IT= 500mA
gate open
Tj=25
°
C
MAX
75
mA
VTM
BTW 68
BTW 68 N ITM= 70A
ITM= 60A
tp= 380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
2.1
2.2
V
IDRM
IRRM
VDRM
VRRM
Rated
Rated
Tj=25
°
C
MAX
0.02
mA
Tj= 125
°
C
6
dV/dt
Linear slope up to
VD=67%VDRM
gate open
VDRM
≤
800V
VDRM
≥
1000V
Tj= 125
°
C
MIN
500
250
V/
μ
s
tq
VD=67%VDRM
dITM/dt=30 A/
μ
s
ITM= 60A
dVD/dt= 20V/
μ
s
VR= 75V
Tj= 125
°
C
TYP
100
μ
s
PG (AV)= 1W
PGM= 40W (tp = 20
μ
s)
IFGM= 8A (tp = 20
μ
s)
VRGM= 5 V.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL RESISTANCES
BTW 68 (N)
2/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTW68N1000 | HIGH SURGE CAPABILITY |
| BTW68N-1000 | HIGH SURGE CAPABILITY |
| BTW68N1200 | HIGH SURGE CAPABILITY |
| BTW68N-1200 | HIGH SURGE CAPABILITY |
| BTW68N600 | HIGH SURGE CAPABILITY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BTW68N1000 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SURGE CAPABILITY |
| BTW68N-1000 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SURGE CAPABILITY |
| BTW68N1200 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SURGE CAPABILITY |
| BTW68N-1200 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SURGE CAPABILITY |
| BTW68N600 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SURGE CAPABILITY |
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