參數(shù)資料
型號(hào)： BU1508DX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： BU1508DX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1508DX
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
Fig.5. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
0.01
1
IC / A
100
10
1
0.1
10
5V
h
FE
1V
Tj = 25 C
Tj = 125 C
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
0.1
1
10
IC / A
VBESAT / V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
IC/IB=
3
4
5
Tj = 25 C
Tj = 125 C
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
1mH
12nF
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
0.1
1
10
IC / A
VCESAT / V
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
IC/IB=
4
5
3
Tj = 25 C
Tj = 125 C
September 1997
3
Rev 1.300
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PDF描述
BUK454-200A PowerMOS transistor
DL-5545S-C330-FBS 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
DL-5540-C270-F 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
DL-5540-C270-FB 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
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參數(shù)描述
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BU1508-E3/51 功能描述:橋式整流器 15 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
BU1508-M3/45 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:15A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
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BU1510 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced PowerBridge Rectifiers
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