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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2506DF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | BU2506DF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2506DF
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
Fig.5. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
0.01
1
100
10
1
10
0.1
Tj = 25 C
Tj = 125 C
h
FE
IC / A
5V
1V
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
0.1
1
10
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
Tj = 25 C
Tj = 125 C
VBESAT / V
IC / A
IC/IB =
3
4
5
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
0.1
1
10
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Tj = 25 C
Tj = 125 C
VCESAT / V
IC / A
IC/IB =
5
4
3
September 1997
3
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2506 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2506DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507DX | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2506DFLB | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| BU2506-E3/51 | 功能描述:橋式整流器 25 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| BU2506-E3-51 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced isoCinka?￠ Bridge Rectifiers |
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