參數(shù)資料
型號： BU2508D
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BU2508D
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508D
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
Fig.5. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
IC
IB
VCE
ICM
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
0.01
1
IC / A
BU2508D
100
10
1
0.1
10
Tj = 25 C
Tj = 125 C
1V
5V
h
FE
ICM
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
0.1
1
10
IC / A
VBESAT / V
BU2508D
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC/IB=
3
4
5
+ 150 v nominal
adjust for ICM
1mH
12nF
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
0.1
1
10
IC / A
VCESAT / V
BU2508D
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC/IB=
5
4
3
December 1995
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU2515AF Silicon Diffused Power Transistor
BU2515AX Silicon Diffused Power Transistor
BU2515DF Silicon Diffused Power Transistor
BU2515DX POWERLINE: RP15-S_DEW - 4:1 Wide Input Voltage Range- 15 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x40.6x10.2mm Package- Efficiency to 82%
BU2520AF Silicon Diffused Power Transistor
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參數(shù)描述
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BU2508DF 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-199
BU2508DF/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HIGH VOLT SOT-199
BU2508DW 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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