參數(shù)資料
型號: BU2508DW
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon Diffused Power Transistor
中文描述: 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝: PLASTIC, SOT-429, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/7頁
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代理商: BU2508DW
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508DW
Fig.13. Forward bias safe operating area. T
mb
= 25C
(1) P
max line.
(2) Second-breakdown limits
(independent of temperature).
I
Region of DC operation.
II
Extension for repetitive pulse operation.
1
10
100
1000
100
10
1
0.1
0.01
tp =
5 us
10
20
50
100
200
500
1 ms
2
5
20
DC
IC / A
VCE / V
ICM max
IC max
= 0.01
II
I
(1)
(2)
September 1997
5
Rev 1.100
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PDF描述
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