參數(shù)資料
型號： BU2522A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： BU2522A
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2522A
Fig.15. Forward bias safe operating area.T
= 25 C
I
& I
= f(V
); I
single pulse; parameter t
Second-breakdown limits independant of temperature.
Fig.16. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
BU2520A
IC / A
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
VCE / V
ICM
ICDC
Ptot
100 us
1 ms
10 ms
DC
30 us
tp =
= 0.01
BU2522AF
0
30
20
10
0
500
1000
1500
VCE / V
IC / A
November 1995
5
Rev 1.100
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PDF描述
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