參數(shù)資料
型號(hào)： BU508AFI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistors(高電壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開(kāi)關(guān)晶體管（高電壓快速開(kāi)關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： BU508AFI
THERMAL DATA
TO-3
TO-218
ISOWATT218
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
1
1
2.5
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
V
EB
= 5 V
T
C
= 125
o
C
1
2
mA
mA
μ
A
I
EBO
100
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
700
V
V
EBO
I
E
= 10 mA
10
V
V
CE(sat)
I
C
= 4.5 A
I
B
= 2 A
1
V
V
BE(sat)
I
C
= 4.5 A
I
B
= 2 A
1.3
V
t
s
t
f
I
C
= 4.5 A
L
C
= 0.9 mH
h
FE
= 2.5
L
B
= 3
μ
H
V
CC
= 140 V
7
0.55
μ
s
μ
s
f
T
Transition Frequency
I
C
= 0.1 A
V
CE
= 5 V
f = 5 MHz
7
MHz
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea (TO-3)
Safe OperatingArea (TO-218/ISOWATT218)
BU208A / BU508A / BU508AFI
2/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU24530 Silicon Monolithic intergrated circuit
BU2615 PLL frequency synthesizer for tuners
BU2616 PLL frequency synthesizer for tuners
BU2618 PLL frequency synthesizer for tuners
BU4011 Quad 2-input NAND gate
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BU508AFTBTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU508AT 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTOR
BU508AW 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU508AW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-249
BU508AW_0708 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*